Pentru circuitul intern am folosit 4 tranzistoare MOS in tehnologie 0.12um alimentate la o sursa de 1V.
Pentru simulare am pus la intrare 2 semnale de tip pulse de frecvente diferite, astfel incat circuitul sa treaca prin toate cele 4 combinatii posibile de stari ale intrarilor.
Pentru layout am folosit optiunea de MOS sharing pentru a micsora spatiul ocupat de tranzistoare.
Niciun comentariu:
Trimiteți un comentariu